IDT70V08S/L
High-Speed 3.3.V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Truth Table I – Chip Enable (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
X
CE
L
H
CE 0
V IL
< 0.2V
V IH
X
>V CC -0.2V
(3)
CE 1
V IH
>V CC -0.2V
X
V IL
X (3)
<0.2V
Port Selected (TTL Active)
Port Selected (CMOS Active)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Mode
3740 tbl 06
NOTES:
1. Chip Enable references are shown above with the actual CE 0 and CE 1 levels; CE is a reference only.
2. 'H' = V IH and 'L' = V IL .
3. CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V CC -0.2V.
Truth Table II – Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE
(2)
H
L
L
X
R/ W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I/O 0-7
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
Deselected: Power-Down
Write to Memory
Read Memory
Outputs Disabled
Mode
NOTES:
1. A 0L — A 15L ≠ A 0R — A 15R
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
Truth Table III – Semaphore Read/Write Control (1)
3740 tbl 07
Inputs (1)
Outputs
CE
(2)
H
H
L
R/ W
H
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I/O 0-7
DATA OUT
DATA IN
______
Read Semaphore Flag Data Out
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Mode
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 7 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
4
3740 tbl 08
相关PDF资料
IDT70V09L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V18L20PFI IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IDT70V25L55G IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
IDT70V261L25PFGI IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
IDT70V26L35G IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA
IDT70V27S15PF IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP
IDT70V28L20PFGI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V3319S166PRFG IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70V08S15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S20PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S20PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S25PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S25PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S35PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V08S35PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V09L15PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)